| 
Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=
, r~
, C; расчитываются TKUпр
, TKIобр
(температурные коэффициенты), rб
(сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода............................................ 4
2. Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1. Электрические.......................................................... 4
2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4
3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1. При комнатной температуре.................................... 5
3.2. При повышенной...................................................... 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6. Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1. Приближенное.......................................................... 9
6.2. Точное....................................................................... 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список................................................ 10
9. Затраты времени на:........................................................... 10
9.1. Информационный поиск........................................ 10
9.2. Расчеты................................................................... 10
9.3. Оформление............................................................ 10
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Рисунок 1
Постоянное прямое напряжение при I
пр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
| Предельные значения параметров при Т=25˚С
|
Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С
|
Значения параметров при Т= 25˚С
|
R т п-к, ˚С/Вт
|
| I пр, ср
max
А
|
|
Uобр, и, п мах, В
|
Uобр мах, В
|
Iпрг (Iпр, уд)мах, А
|
fмах, кГц
|
Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В
|
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс
|
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
|
| Т˚С
|
tи(tпр), мс
|
Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А
|
Iпр, и, А
|
Uпр, и, В
|
| 10
|
85
|
200
|
200
|
100
|
10
|
100
|
140
|
1
|
10
|
0,3
|
1
|
20
|
0,2
|
1,5
|
Вольт-амперная характеристика
 
 
|
|
Зависимость R= от Uпр
|
| Uпр
|
0,6
|
0,7
|
0,8
|
0,9
|
1
|
1,1
|
| 
R=
|
0,3
|
0,2333333
|
0,16
|
0,1125
|
0,090909
|
0,073333
|
| Зависимость r~ от Uпр
|
| Uпр
|
0,1
|
0,2
|
0,3
|
0,4
|
0,5
|
| r~
|
0,1
|
0,0666667
|
0,05
|
0,044444
|
0,038462
|
| Зависимость R= от Uобр
|
| Uобр
|
50
|
100
|
150
|
200
|
250
|
300
|
| 
R=
|
3571429
|
6666666,7
|
8333333
|
4878049
|
2777778
|
1304348
|
| Зависимость r~ от Uобр
|
| 
Uобр
|
50
|
100
|
150
|
200
|
250
|
| r~
|
50000000
|
25000000
|
5555556
|
2631579
|
1157407
|
| Зависимость Cдиф от Uпр
|
Uпр |
0,6
|
0,7
|
0,8
|
0,9
|
1
|
1,1
|
| Сдиф
|
0,08
|
0,12
|
0,2
|
0,32
|
0,44
|
0,6
|
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
[1]
Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США
|
