Федеральное агентство по образованию Российской Федерации
ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ»
Кафедра теоретических основ радиотехники
ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИОПЕРЕДАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
Пояснительная записка к курсовой работе
по дисциплине «Устройства формирования и генерирования сигналов»
Преподаватель: Булатов Л.И.
Студент: Жуков А.В.
Группа: Р-439А
Екатеринбург 2006
Содержание
Задание на курсовое проектирование
Структурная схема передатчика
Электрические расчеты режимов и элементов оконечного каскада 5
Расчет параметров штыревой антенны
Расчет выходной цепи оконечного каскада
Расчет входной цепи оконечного каскада
Расчет устройства согласования передатчика с нагрузкой
Конструкторский расчет элементов оконечной ступени
Расчет параметров катушек L21 и L22
Выбор стандартных номиналов
Выбор блокировочных дросселей L19 и L20
Выбор блокировочной емкости C56 15
Выбор емкостей C57 и C58
Назначение всех элементов принципиальной схемы радиопередатчика
Заключение
Список использованной литературы
Приложение 1 Задание на курсовое проектирование
Вам предлагается для исследования и расчета оконечной ступени схема реального радиопередающего устройства.
Составьте пояснительную записку, которая должна содержать следующие разделы:
1. Структурная схема передатчика с пояснениями: тип применяемой модуляции, вид согласующего устройства выходного каскада передатчика с нагрузкой, схема возбудителя передатчика.
2. Электрические расчеты режимов и элементов оконечного каскада. Полагая, что мощность выходной ступени P1=8Вт, а антенна – это вертикальный штырь длиной l=0.5м, сделайте расчет электрического режима этого каскада и устройств согласования передатчика с нагрузкой.
3. Конструкторский расчет элементов оконечной ступени.
4. Назначение всех элементов принципиальной схемы радиопередатчика.
Принципиальная схема радиопередатчика:
Рис.1. Схема ультракоротковолнового передатчика
Рис. 2. Структурная схема передатчика
Из структурной схемы видно, что в передатчике используется косвенный метод получения ЧМ.
Схема возбудителя передатчика:
Рис. 3. Схема возбудителя передатчика
Схема автогенератора – осцилляторная (емкостная трехточка с заземленным эмиттером).
Рис. 4. Схема оконечного каскада
Для расчета параметров антенны была использована программа MMANA.
Антенна – это вертикальный штырь длиной l=0.5м
Вид антенны с учетом подстилающей поверхности:
Рис. 5. Вид антенны с учетом подстилающей поверхности
Зададимся следующими параметрами:
· Материал – медь
· Радиус антенны – 5мм.
Результаты работы программы представлены на рис.5, рис.6 и рис.7.
Рис. 6. Результат работы программы (вкладка «Вычисления»)
Рис. 7. Результат работы программы (вкладка «Вид»)
Рис. 8. Результат работы программы (вкладка «Диаграммы направленности»)
В результате сопротивление антенны получилось равным:
ZA
=RA
+jXA
=23.835-j3.345 (
Ом
).
Так как RA
<<
XA
, следовательно реактивной составляющей можно пренебречь. Следовательно:
ZA
RA
=23.835Ом.
Производится расчет выходной цепи оконечного каскада на заданную мощность P1=8Вт.
Угол отсечки коллекторного тока θ=105.7˚
(выбирается так, чтобы смещение на базе получилось равным 0).
Коэффициенты Берга для θ=105.7˚:
1. Коэффициент использования коллекторного напряжения в граничном режиме:
2. Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе в граничном (критическом) режиме:.
3. Максимальное напряжение на коллекторе:.
4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:.
5. Постоянная составляющая коллекторного тока:.
6. Максимальная величина коллекторного тока:.
7. Мощность, потребляемая от источника коллекторного питания:.
8. Коэффициент полезного действия коллекторной цепи:.
9. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:.
10. Сопротивление коллекторной нагрузки:.
Данная методика расчета справедлива на частотах до (0,5…0,8)
fT
. Так как у транзистора КТ934В частота единичного усиления fT
=700МГц
, следовательно эта методика может использоваться для расчета входной цепи оконечного каскада.
Для устранения перекосов в импульсах i
к
(ω
t
)
нужно включать шунтирующее добавочное сопротивление R
доп
между выводами базы и эмиттера транзистора, как показано на рис. 9.
Рис. 9
Сопротивление R
доп
выравнивает постоянные времени эмиттерного перехода в закрытом и в открытом состоянии. Одновременно сопротивление R
доп
снижает максимальное обратное напряжение на закрытом эмиттерном переходе.
.
При включении транзистора с ОЭ целесообразно между коллекторным и базовым выводами транзистора включать сопротивление R
О.С.
, как показано на рис. 10.
Рис. 10
.
В результате включения R
О.С.
создается дополнительная отрицательная обратная связь на низких и средних частотах, такая же по величине, как на высоких частотах через емкость C
К
. В результате на всех частотах модуль коэффициента усиления по току транзистора β(ω)
снижается в χ
раз.
.
При работе транзистора на частотах ω>3ω
T
/β0
в реальной схеме генератора можно не ставить сопротивления R
доп
и R
О.С.
. Однако в последующих расчетных формулах сопротивление R
доп
необходимо оставлять.
1. Амплитуда тока базы .
2. Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе
3. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов
4. Напряжение смещения на эмиттерном переходе
5. Значения L
ВХ.О.Э
,
r
ВХ.О.Э.
,
R
ВХ.О.Э.
,
C
ВХ.О.Э.
в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора на рис. 11.
Рис. 11. Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора
6. Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора (ZВХ
=RВХ
+iXВХ
)
7. Входная мощность
8. Коэффициент усиления по мощности
В данной схеме роль согласующего устройства играет параллельный колебательный контур L21-C57-L22-C58. Целесообразно поменять местами емкость C57 и индуктивность L22 (рис. 12).
Рис. 12. Согласующее устройство
Для расчета зададимся следующими значениями:
· Характеристическое сопротивление контура:ρ=(50…200)Ом ρ=200Ом
· Добротность ненагруженного контура:Q
ХХ
=(50…100)
Q
ХХ
=100
· КПД цепи согласования:ηЦС
=(0.5…0.8) ηЦС
=0.7
Для удобства расчета сделаем замену:
C1=C57;
C2=C58;
L1=L22;
L2=L21;
RН
=RА
=23.835Ом.
Добротность нагруженного контура:
Q
Н
=
Q
ХХ
(1- ηЦС
)=
Эквивалентная индуктивность контура:
Эквивалентная емкость контура:
Мощность, отдаваемая в нагрузку (антенну):
Коэффициент подключения АЭ к контуру:
Через эквивалентную индуктивность контура и коэффициент подключения АЭ к контуру можно рассчитать индуктивности L1 и L2:
Коэффициент подключения нагрузки к контуру:
Через эквивалентную емкость контура и коэффициент подключения нагрузки к контуру можно рассчитать емкости C1 и C2:
Следовательно:
C57=C1=5.6762пФ;
C58=C2=101.96пФ;
L22=L1=207.63нГн;
L21=L2=7.4464нГн.
Расчет блокировочных элементов:
Конструкторский расчет элементов оконечной ступени
Расчет параметров катушек L21 и L22
Определим значение контурного тока:
Действующее значение контурного тока:
Зададимся разницей между температурой провода и окружающей среды:
Диаметр провода катушки:
Исходя из диаметра провода выбираем диаметр катушки:
Выберем длину катушки:
Следовательно коэффициент формы катушки:
Индуктивность катушки:
Необходимое число витков цилиндрической катушки:
Шаг намотки:
Число витков индуктивности L21:
Число витков индуктивности L22:
Выбор дросселя
L
20:
Так как и , следовательно выбираем дроссель ДМ-3-1
. Его характеристики:
Выбор дросселя
L
19:
Так как и , следовательно выбираем дроссель ДМ-0.2-25
.
Его характеристики:
Так как и , следовательно выбираем керамический конденсатор К10-50
.
Его характеристики:
· Номинальное напряжение 25В;
· Номинальная емкость 30000пФ;
· Ширина (1,5…5,5)мм;
· Длина (1,3…4,4)мм;
· Высота (1,2…1,8)мм;
· Внешний вид:
Выбор емкости
C
57:
Амплитуда напряжения на обкладках конденсатора C57:
Выбираем конденсатор КПК-МН
.
Его характеристики:
· Номинальное напряжение 350В;
· Минимальная емкость, не более 4пФ;
· Максимальная емкость, не менее 15пФ;
· Длина 15мм;
· Высота 9мм;
· Ширина 11мм;
· Внешний вид:
Выбор емкости
C
58:
Амплитуда напряжения на обкладках конденсатора C58:
Для реализации емкости C58 необходимо включить параллельно конденсаторы К10-17
и КТ4-28
.
Характеристики конденсатора К10-17
:
· Номинальное напряжение 25В;
· Номинальная емкость 91пФ;
· Ширина (1,5…1,2)мм;
· Длина (1,3…8,6)мм;
· Высота (1,8…3,3)мм;
· Внешний вид:
Характеристики конденсатора КТ4-28
:
· Номинальное напряжение 25В;
· Минимальная емкость, не более 4пФ;
· Максимальная емкость, не менее 20пФ;
· Длина 2,8мм;
· Высота 1,2мм;
· Ширина 2,6мм;
· Внешний вид:
Кварцевый автогенератор
VT1, ZQ1, C4, C1, C2 – емкостная трехточка.
L1 – блокировочная индуктивность.
C7 – блокировочная емкость.
R1, R4 – делитель напряжения, необходимый для подачи смещения на базу.
R6 – для подачи питания на коллекторную цепь и подачи смещения на базу транзистора VT1.
С8 – блокировочная емкость.
Фазовый модулятор
L2, VD1, VD2, C11, C12 – колебательный контур. При подаче модулирующего напряжения, варикапы изменяют свою емкость, следовательно меняются параметры контура и происходит модуляция.
Умножитель на 2
R14 – для подачи смещения на базу.
C14 – блокировочная емкость.
L3, C15, C16 – колебательный контур, настроенный на 2 гармонику.
R20 – для подачи смещения за счет тока базы.
C48, L12 – Г-образный четырехполюсник.
Усилитель НЧ
C3 – блокировочная емкость.
R2 – для настройки микрофона.
C5, C6 – блокировочные емкости.
R3, C5, C6 – цепь автосмещения.
C9 – блокировочная емкость.
R7 – для питания стоковой цепи транзистора VT2.
C10 – блокировочная емкость.
R8, R11 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT3.
R12 – обеспечивает автосмещение.
R13 – для питания коллекторной цепи транзистора VT3.
C13 – блокировочная емкость.
R15, R16 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT5.
R18 – обеспечивает автосмещение.
R19 – для подачи питания на коллекторную цепь транзистора VT5.
C17 – блокировочная емкость.
С18 – блокировочная емкость.
VD3, VD4 – ограничительные диоды. Необходимы для ограничения по амплитуде резких всплесков речевого сигнала. Следовательно происходит увеличение коэффициента модуляции.
C22, L5, C23 – П-образный ФНЧ.
C24 – блокировочная емкость.
R24, R25 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT8.
R27 – обеспечивает автосмещение.
C28 – блокировочная емкость. Шунтирует коллекторную цепь транзистора VT8 по высокочастотному току, попавшему с модулятора.
R28 – для подачи питания на коллекторную цепь транзистора VT8.
C29 – блокировочная емкость.
R29 –для подачи смещения на варикапы VD1, VD2.
C41 – блокировочная емкость.
R30 – для изменения девиации.
R31, C45, R10 – интегратор.
Усилитель мощности
C52, L15 – Г-образный четырехполюсник.
L16 – блокировочная индуктивность.
C53 – блокировочная емкость.
L17 – нагрузка.
C54, C55, L18 – Т-образный четырехполюсник.
L19 – блокировочный дроссель. Задает нулевое смещение на базе.
L20 – блокировочная индуктивность.
L21, L22, C57, C58 – колебательный контур. Согласует выходной каскад передатчика с нагрузкой.
В ходе выполнения курсового проекта был рассчитан оконечный каскад передатчика. Был произведен конструкторский расчет катушек индуктивности и выбор стандартных номиналов емкостей и блокировочных дросселей. Были приобретены навыки анализа принципиальных схем радиопередающих устройств.
1. Проектирования радиопередающих устройств: Учеб. пособие для вузов/В.В. Шахгильдян, М.С. Шумилин, И.А. Попов и др.; Под ред. В.В. Шахгильдяна. М.: Радио и связь, 1993, 512с.
2. Шумилин М. С., Козырев В. Б., Власов В. А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учебное пособие для техникумов. М.: Радио и связь, 1987.
3. Методические указания к курсовому проектированию по дисциплине “Устройства формирования сигналов” /Л.И. Булатов, Б.В. Гусев. Екатеринбург: Изд-во УГТУ, 2003 г.
Параметры транзистора КТ-934В
Параметры идеализированных статических характеристик
|
Сопротивление насыщения транзистора rнас
, Ом
|
0,45
|
Сопротивление материала базы rБ
, Ом
|
|
Стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера rЭ
, Ом
|
0
|
Напряжение отсечки коллекторного тока ,В
|
0,7
|
Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ β0
|
50
|
Высокочастотные параметры
|
Частота единичного усиления по току fT
, МГц
|
700
|
Барьерная емкость коллекторного перехода CК
, пФ
|
22
|
Барьерная емкость эмиттерного перехода CЭ
, пФ
|
200
|
Постоянная времени коллекторного перехода τК
, пС
|
5
|
Барьерная емкость активной части эмиттерного перехода СКА
, пФ
|
|
Индуктивность вывода эмиттера LЭ
, нГн
|
1
|
Индуктивность вывода базы LБ
, нГн
|
2.8
|
Индуктивность вывода коллектора LК
, нГн
|
2.5
|
Предельно допустимые значения
|
Допустимое напряжение на коллекторе в схеме с ОЭ UКЭ.ДОП
, В
|
60
|
Допустимое обратное значение напряжения на эмиттерном переходе UБЭ.ДОП
, В
|
4
|
Допустимая постоянная составляющая тока коллектора IК0.ДОП
, А
|
2
|
|