Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны
3
б) собственная концентрация
3
в) положение уровня Ферми
3
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда
4
д) удельные электропроводности p- и n- областей
4
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок
4
ж) диффузионные длины электронов и дырок
4
4. Расчет параметров p-n
перехода
4
a) величина равновесного потенциального барьера
4
б) контактная разность потенциалов
4
в) ширина ОПЗ
5
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении
5
д) тепловой обратный ток перехода
5
е) график ВФХ
5
ж) график ВАХ
6, 7
5. Вывод
7
6. Литература
8
1. Исходные данные
1) материал полупроводника – GaAs
2) тип p-nпереход – резкий
и несимметричный
3) тепловой обратный ток () – 0,1мкА
4) барьерная ёмкость () – 1пФ
5) площадь поперечного сечения ( S
) – 1мм2
6) физические свойства полупроводника
Ширина запрещенной зоны, эВ
Подвижность при 300К, м2
/В×с
Эффективная масса
Время жизни носителей заряда, с
Относительная диэлектрическая проницаемость
электронов
Дырок
электрона mn
/me
дырки mp
/me
1,42-8
0,85-8
0,04-8
0,067-8
0,082-8
10-8
13,1-8
2. Анализ исходных данных
1. Материал легирующих примесей:
а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)
б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)
2. Концентрации легирующих примесей: Nа
=1017
м -3
, Nд
=1019
м -3
3. Температура (T
) постоянна и равна 300К
(вся примесь уже ионизирована)
4. – ширина запрещенной зоны
5. , – подвижность электронов и дырок
6. , – эффективная масса электрона и дырки
7. – время жизни носителей заряда
8. – относительная диэлектрическая проницаемость
3. Расчет физических параметров p- и n- областей
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны
б) собственная концентрация
в) положение уровня Ферми
(рис. 1)
(рис. 2)
Eg
X
Ei
Ec
Ev
EF
Eg
EF
Ei
Ec
Ev
X
(рис. 1)
(рис. 2)
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда
д) удельные электропроводности p- и n- областей
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок
ж) диффузионные длины электронов и дырок
4. Расчет параметров p-n перехода
a) величина равновесного потенциального барьера
б) контактная разность потенциалов
в) ширина ОПЗ (переход несимметричный -)
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении
д) тепловой обратный ток перехода
е) график ВФХ
– общий вид функции для построения ВФХ
ж) график ВАХ
– общий вид функции для построения ВАХ
Ветвь обратного теплового тока (масштаб)
Ветвь прямого тока (масштаб)
Вывод.
При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам:
- величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ
- барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ
т.е. соответствует заданному ( 1пФ
)
- значение обратного теплового тока () равно 1,92×10-16А
т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА
)
Литература:
1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники»
2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ»
. Москва, 1996 г.
3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники
. Москва, «Советское радио», 1971 г.
Комментарии:
Делаю рефераты, курсовые, контрольные, дипломные на заказ.
Звоните или пишите вотсап, телеграмм, вайбер 89675558705 Виктория.
02:14:06 20 октября 2021
Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
19:26:08 10 сентября 2021
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Адриан
00:07:15 23 июня 2020
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
) – 0,1
мкА
) – 1
пФ
6) физические свойства полупроводника
– ширина запрещенной зоны
, 
– подвижность электронов и дырок 
, 
– эффективная масса электрона и дырки
– время жизни носителей заряда
– относительная диэлектрическая проницаемость
(рис. 1)
(рис. 2)
-
)
е) график ВФХ 
) равна 
, что соответствует условию 
) равна 1,0112пФ
т.е. соответствует заданному ( 1пФ
) 
